您好,欢迎您来 厦门博佳琴电子科技有限公司!   请登录| 立即注册| 会员中心| 我的订单| 收藏本公司 | 设为主页 购物车0去结算

技术

相变化存储器技术

作为一个新的存储器产业平台:

  • PCM存储器的经济效益是能打造成一个新的存储器产业平台。
  • 在产品推广的前几年,它可以取代高端的NOR闪存(例如储存容量≥128Mb)、对品质与可靠性要求严格的SLC NAND闪存(例如储存容量介于4Gb-16Gb之间)、以及嵌入式闪存(例如55nm、40nm等工艺结点)。
  • 在技术成熟度提高后,MLC PCM与堆叠式PCM技术可以把存储容量往上翻,虽然不见得能完全取代最高容量的MLC NAND和TLC NAND,但是以其相对较佳的品质与可靠性,随着容量增加,其应用市场也势必增大。

PCM技术未来展望:

  • PCM产品适合取代高端应用的NOR Flash产品,特别是大于或等于128Mb容量的产品,因为PCM技术在先进工艺如40nm或28nm有极大微缩优势,而且性能和可靠性比NOR Flash要好。
  • PCM技术适合取代嵌入式Flash技术,特别是65nm以下的先进工艺。如上所述,嵌入式PCM技术拥有较佳的性能和可靠性。
  • 端期内PCM技术还不适合取代高容量(如大于16Gb)的MLC和TLC NAND技术。但是,PCM具有取代SLC NAND(如1Gb-16Gb)的潜力,因为SLC NAND以其优于MLC和TLC NAND的性能与品质,用于对存储数据可靠性高度要求的产品,而PCM的品质比SLC NAND好,且生产成本与SLC NAND不相上下。
  • 长期而言,一旦PCM技术足够成熟,堆叠式PCM和MLC PCM可以提高PCM的存储容量,达到相当于MLC和TLC NAND的水准。
  • 国内已在11-5计划期间开发了PCM技术,要有具体成果,必须从12”晶圆下手,40nm是一个很好的切入点。

专利与技术细节咨询:有意了解技术细节和相关专利的公司(或个人),请联络本公司。